1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ
  • 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ

1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈیوڈ

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode ہائی پاور، تنگ لائن وِڈتھ DFB بٹر فلائی پیکیج لیزر ڈائیوڈ ہے، فائبر لیزرز کے لیے بیج کے ذرائع کے طور پر یا درست اسپیکٹرل پیمائش کے لیے وسیع پیمانے پر استعمال ہوتا ہے۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

1. خلاصہ:

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode ہائی پاور، تنگ لائن وِڈتھ DFB بٹر فلائی پیکج لیزر ڈائیوڈ ہے، فائبر لیزرز کے لیے بیج کے ذرائع کے طور پر یا درست اسپیکٹرل پیمائش کے لیے وسیع پیمانے پر استعمال ہوتا ہے۔


2. خصوصیات:

• 200mW ہائی آؤٹ پٹ پاور؛

• 100kHz سے نیچے تنگ لکیر کی چوڑائی؛

• PM فائبر 18dB ہائی PER سے آگے؛

• 14PIN بٹر فلائی پیکیج؛

• اندرونی تھرمو الیکٹرک ہیٹ پمپ اور مانیٹر فوٹوڈیوڈ؛

• فیلڈ سے ثابت شدہ اعلی وشوسنییتا۔

وشوسنییتا:Telcordia GR-468۔ RoHS


3. درخواستیں:

• لیزرز کے لیے بیج کا ذریعہ؛

• سپیکٹروسکوپی؛

• آپٹیکل سینسنگ۔


4. مطلق زیادہ سے زیادہ درجہ بندی

پیرامیٹر علامت کم از کم زیادہ سے زیادہ یونٹ
LD ریورس کرنٹ آئی آر - 2 V
ایل ڈی فارورڈ کرنٹ اگر - 500 ایم اے
MPD ریورس وولٹیج VMPD - 20 V
تھرمو الیکٹرک کولر وولٹیج وی ٹی ای سی - 4.8 V
تھرمو الیکٹرک کولر کرنٹ آئی ٹی ای سی - 2.5 A
آپریٹنگ کیس کا درجہ حرارت ٹی سی -45 70 ℃
اسٹوریج کا درجہ حرارت TSTG -40 85 ℃
ذخیرہ کرنے کی نمی - 5 85 RH
الیکٹرو سٹیٹک ڈسچارج (ESD) وی ای ایس ڈی - 500 V
لیڈ سولڈرنگ درجہ حرارت STEMP - 260 ℃
لیڈ سولڈرنگ کا وقت STIME 10 سیکنڈ


5. الیکٹرو آپٹیکل خصوصیات (25 ℃ لیزر درجہ حرارت):

پیرامیٹر علامت حالت کم از کم ٹائپ کریں۔ زیادہ سے زیادہ یونٹ
مرکز طول موج λc TL = 15~35℃ CW 1028 1030 1032 nm
آپٹیکل آؤٹ پٹ پاور پی او TL=25℃ - 200 - mW
تھریشولڈ کرنٹ آئی ٹی ایچ TL=25℃ - 45 70 ایم اے
آپریٹنگ وولٹیج وی او پی POP = 200mW(CW) - - 2.5 V
آپریٹنگ کرنٹ آئی او پی POP = 200mW(CW) - 300 500 ایم اے
لکیر کی چوڑائی Δλ - - 30 100 KHz
سائیڈ موڈ دبانے کا تناسب ایس ایم ایس آر - - 40 - ڈی بی
پولرائزیشن ختم ہونے کا تناسب ER - 18 - - ڈی بی
درجہ حرارت طول موج گتانک Δλ/ΔT - - 0.08 - nm/℃
MPD ذمہ داری IMON/POP @-5V تعصب وولٹیج 1 - 30 μA/mW
تھرمسٹر مزاحمت آر ٹی ایچ - 9.5 10 10.5 KΩ


6. آپٹیکل فائبر کی تفصیلات:

پیرامیٹرز تفصیل
فائبر کی قسم پی ایم 980
پگٹیل کی قسم 900μm ڈھیلی ٹیوب
پگٹیل کی لمبائی 1.2±0.1m
کنیکٹر کی قسم ایف سی/اے پی سی


7. پیکج ڈرائنگ اور پن آؤٹ ڈیفینیشن (یونٹ: ملی میٹر):

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

قسم 2

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
پن تفصیل پن تفصیل
1 TEC(+) 14 TEC(-)
2 تھرمسٹر 13 کیس گراؤنڈ
3 پی ڈی مانیٹر انوڈ (-) 12 این سی
4 PD مانیٹر کیتھوڈ (+) 11 لیزر کیتھوڈ (-)
5 تھرمسٹر 10 لیزر انوڈ (+)
6 این سی 9 این سی
7 این سی 8 این سی
ہاٹ ٹیگز: 1030nm 200mW 100KHz DFB بٹر فلائی لیزر ڈائیوڈ، مینوفیکچررز، سپلائرز، تھوک، فیکٹری، اپنی مرضی کے مطابق، بلک، چین، چین میں بنایا گیا، سستا، کم قیمت، معیار

متعلقہ زمرہ

انکوائری بھیجیں۔

براہ کرم نیچے دیے گئے فارم میں بلا جھجھک اپنی انکوائری دیں۔ ہم آپ کو 24 گھنٹوں میں جواب دیں گے۔
X
ہم آپ کو براؤزنگ کا بہتر تجربہ پیش کرنے ، سائٹ ٹریفک کا تجزیہ کرنے اور مواد کو ذاتی نوعیت دینے کے لئے کوکیز کا استعمال کرتے ہیں۔ اس سائٹ کا استعمال کرکے ، آپ کوکیز کے ہمارے استعمال سے اتفاق کرتے ہیں۔ رازداری کی پالیسی
مسترد قبول کریں