مصنوعات

نمایاں مصنوعات

200um InGaAs avalanche photodiodes APDs

200um InGaAs avalanche photodiodes APDs سب سے بڑا تجارتی طور پر دستیاب InGaAs APD ہے جس میں 1100 سے 1650nm طول موج کی حد میں اعلی ذمہ داری اور انتہائی تیزی سے عروج و زوال کا وقت ہوتا ہے، 1550nm پر چوٹی کی رسپانسیویٹی مثالی طور پر موزوں ہے، فری کمیونیکیشن ایپلی کیشنز، رینج کے لیے موزوں ہے۔ OTDR اور آپٹیکل کوہرنس ٹوموگرافی۔ اس چپ کو ہرمیٹک طور پر ایک ترمیم شدہ TO پیکج میں سیل کیا گیا ہے، pigtailed آپشن بھی دستیاب ہے۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

1. 200um InGaAs برفانی تودہ فوٹوڈیوڈس APDs کا خلاصہ

200um InGaAs avalanche photodiodes APDs سب سے بڑا تجارتی طور پر دستیاب InGaAs APD ہے جس میں 1100 سے 1650nm طول موج کی حد میں اعلی ذمہ داری اور انتہائی تیزی سے عروج و زوال کا وقت ہوتا ہے، 1550nm پر چوٹی کی رسپانسیویٹی مثالی طور پر موزوں ہے، فری کمیونیکیشن ایپلی کیشنز، رینج کے لیے موزوں ہے۔ OTDR اور آپٹیکل کوہرنس ٹوموگرافی۔
چپ کو ایک ترمیم شدہ TO پیکیج میں ہرمیٹک طور پر سیل کیا گیا ہے، pigtailed آپشن بھی دستیاب ہے۔

2. 200um InGaAs avalanche photodiodes APDs کا تعارف

3. 200um InGaAs avalanche photodiodes APDs کی خصوصیات

رینج کا پتہ لگائیں 1100nm-1650nm؛

وسیع متحرک رینج؛

اعلی ذمہ داری؛

کم تاریک کرنٹ؛

معیاری TO-46 پیکیج۔

4. 200um InGaAs avalanche photodiodes APDs کی درخواست

آپٹیکل سینسر؛

مفت جگہ آپٹیکل مواصلات.

5. 200um InGaAs avalanche photodiodes APDs کی مطلق زیادہ سے زیادہ درجہ بندی

پیرامیٹر	علامت	حالت	کم از کم	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
PD ریورس وولٹیج	وی آر	سی ڈبلیو	-	وی بی آر	V
فارورڈ کرنٹ	اگر	سی ڈبلیو	-	10	ایم اے
ریورس کرنٹ	آئی آر	سی ڈبلیو	-	10	ایم اے
آپریٹنگ درجہ حرارت	ٹاپ	کیس کا درجہ حرارت	-40	+85	℃
ذخیرہ اندوزی کا درجہ حرارت	TSTG	وسیع درجہ حرارت	-40	+85	℃
لیڈ سولڈرنگ ٹمپریچر/وقت	ٹی ایس	-	-	260/10	â/S

5. 200um InGaAs برفانی تودہ فوٹوڈیوڈس APDs کی الیکٹرو آپٹیکل خصوصیات(T=25â)

پیرامیٹر	علامت	حالت	کم از کم	ٹائپ کریں۔	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
طول موج کی حد	λ		1100	-	1650	nm
فعال علاقہ	φ	-	-	200	-	ام
ذمہ داری	دوبارہ	M=1,Î»=1550nm	0.80	-	-	A/W
ضرب عامل	M	VR=VBR-3, Î»=1550nm, Ïe=1uW	10	-	-	-
تاریک کرنٹ	ID	VR=VBR-3، Ïe=0	-	-	35	n / A
ریورس بریک ڈاؤن وولٹیج	وی بی آر	ID=10Î¼A، Ïe=0	40	-	55	V
بینڈوڈتھ	بی ڈبلیو	-3dB پوائنٹ، M=10، RL=50Î©	-	1.25	-	گیگا ہرٹز
اہلیت	C	M=10، Ïe=0, f=1MHz	-	-	2	پی ایف

6. 200um InGaAs برفانی تودہ فوٹوڈیوڈس APDs کی پیکیج ڈرائنگ اور پن آؤٹ ڈیفینیشن (یونٹ: ملی میٹر)

7. 200um InGaAs برفانی تودہ فوٹوڈیوڈس اے پی ڈی کی ڈیلیور، شپنگ اور سرونگ

تمام مصنوعات کی ترسیل سے پہلے جانچ کی گئی ہے۔

تمام مصنوعات کی 1-3 سال کی وارنٹی ہوتی ہے۔

ہم آپ کے کاروبار کی تعریف کرتے ہیں اور فوری 7 دن کی واپسی کی پالیسی پیش کرتے ہیں۔ (آئٹمز حاصل کرنے کے 7 دن بعد)؛

اگر آپ ہمارے اسٹور سے جو اشیاء خریدتے ہیں وہ بہترین معیار کی نہیں ہیں، تو یہ ہے کہ وہ مینوفیکچررز کی تصریحات کے لیے الیکٹرانک طور پر کام نہیں کرتی ہیں، بس انہیں بدلنے یا رقم کی واپسی کے لیے ہمیں واپس کر دیں۔

اگر اشیاء خراب ہیں، تو براہ کرم ہمیں ترسیل کے 3 دن کے اندر مطلع کریں؛

رقم کی واپسی یا متبادل کے لیے کوالیفائی کرنے کے لیے کسی بھی آئٹم کو ان کی اصل حالت میں واپس کیا جانا چاہیے۔

خریدار تمام شپنگ لاگت کا ذمہ دار ہے۔

8. اکثر پوچھے گئے سوالات

س: آپ کون سا فعال علاقہ پسند کریں گے؟

A: ہمارے پاس 0.3mm 0.5mm 1mm فعال ایریا برفانی تودے فوٹوڈیوڈس ہیں۔

سوال: کنیکٹر کے لئے کیا ضرورت ہے؟

A: باکس آپٹرونکس آپ کی ضروریات کے مطابق اپنی مرضی کے مطابق کر سکتے ہیں۔

ہاٹ ٹیگز: 200um InGaAs avalanche photodiodes APDs، مینوفیکچررز، سپلائرز، تھوک، فیکٹری، اپنی مرضی کے مطابق، بلک، چین، چین میں بنایا گیا، سستا، کم قیمت، معیار